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我们刚制作了一个310*310*1.0mm的 导热氮化铝陶瓷 可用作半导体 12 英寸 GaN-on-QST 衬底。
GaN-on-QST,QST是“Qromis substrate technology”的缩写,是一种用于GaN外延生长的衬底,具有类似于GaN热膨胀系数的特性。GaN-on-QST即底层衬底为 氮化铝陶瓷片 .
下面是GaN/Si和GaN/QST衬底的对比,QST衬底比GaN/Si衬底更有优势,成本也更低。
在不久的将来,GaN/QST 与 氮化铝陶瓷 underlying substrate将是一个新的精彩应用。
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