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我们刚刚生产了一个310*310*1.0mm的 导热氮化铝陶瓷 可用作半导体12英寸GaN-on-QST衬底。
GaN-on-QST，QST是“Qromis衬底技术”的缩写，是一种用于GaN外延的衬底，具有与GaN热膨胀系数相似的特性。GaN-on-QST即底层衬底是 氮化铝陶瓷片 .
下面是GaN/Si和GaN/QST衬底的对比，QST衬底更有优势，而且成本比GaN/Si衬底低。
在不久的将来，GaN/QST 与 氮化铝陶瓷 底层基材将是一个新的精彩应用。
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