DBC和DPC陶瓷基板有什么区别？

DPC工艺是对陶瓷基板进行预处理和清洗，利用半导体工艺在陶瓷基板上溅镀铜籽晶层，然后通过曝光、显影、刻蚀、成膜实现线路图形。最后通过电镀或化学镀增加铜线的厚度，去除光刻胶后完成金属化线的制作。

DBC工艺是在铜与陶瓷之间添加氧元素，在1065-1083℃之间得到Cu-0共晶液，然后反应得到中间相（CuAlO2或CuAl2O4），从而实现铜板与陶瓷的化学冶金结合。陶瓷基板。最后通过光刻技术形成图形制备。

DBC可分为3层，中间绝缘材料为工艺AI203或AIN。 AI203的导热系数通常为24W/(m-k)，AIN的导热系数为170W/(m-k)。 DBC基板Al203/AlN的热膨胀系数相近，非常接近LED外延材料的热膨胀系数，可以显着降低芯片与基板之间产生的热应力。

1）低温工艺（300℃以下）完全避免了高温对材料或线路结构的不利影响，也降低了制造工艺的成本；

2）采用薄膜及光刻显影技术，使基板上的金属线路更加精细（线宽尺寸20~30m，表面平整度小于0.3m，线路对位精度误差小于±1） %），因此DPC基板非常适合对位精度要求较高的电子器件的封装。

由于铜箔具有良好的导电导热性能，而氧化铝可以有效控制Cu-A12O3-Cu复合材料的膨胀，使DBC基板具有与氧化铝相近的热膨胀系数，因此DBC具有导热性能好的优点、绝缘性、可靠性等，已广泛应用于IGBT、LD、CPV封装。特别是由于铜箔较厚（100~600μm），在IGBT、LED封装领域优势明显。

1）电镀沉积铜层厚度有限，电镀废液污染严重；

2）金属层与陶瓷结合强度低，产品可靠性低。

1）制备工艺利用Cu与Al2O3在高温（1065℃）下发生共晶反应，对设备和工艺要求较高，衬底成本较高；和

2）由于Al203和Cu层易产生微孔，降低了产品的抗热震性能，这些缺点已成为DBC基板推广的瓶颈。