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氮化铝陶瓷基板
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高导热氮化铝陶瓷基板AlN导电绝缘片

高导热氮化铝陶瓷基板AlN导电绝缘片

我们的氮化铝陶瓷具有出色的导热性。它还具有低介电常数,并具有可与氧化铝相媲美的优异电性能。热膨胀率与硅相似,比强度高、密度低、无毒。

产品详情:

  1. 材质:氮化铝。
  2. 功能:绝缘、散热。
  3. 类型:陶瓷。
  4. 颜色:灰色。
  5. 可定制:可以,请提供具体产品的图纸。

高导热氮化铝陶瓷基板AlN导电绝缘片

产品描述:

AlN陶瓷因其优异的综合性能而广泛应用于航空航天电子各个领域。航天器太阳能电池翼将产生数十千瓦的电力传输到模块内部。根据机构要求选择材料,输电绝缘材料需要具有一定的电绝缘性能和较高的导热性能,同时还需要具有优良的机械承载能力。

因此,必须选择功能集成材料的结构。需要选择高导热材料,将内部逐渐积累的热量传导至散热器,避免组件内部温度过高。高导热宽带氮化物半导体材料中,AlN的导热系数为320W/ (m.K),高于单晶GaN的230W/(m.K),并且AlN在热传导方面比GaN更有传热优势。

高功率器件中半导体材料的性能对比

该图片取自《航空航天设备中高导热绝缘氮化铝陶瓷的开发》

我们的氮化铝陶瓷基板有各种尺寸和厚度可供选择。

我们的服务:

请联系我们进行定制。

规格:

尺寸(长x宽)50.8*50.8mm等
厚度0.1-10毫米
导热系数170-230W/米·K
介电常数8-9(兆赫)
堆积密度3.3克/立方厘米
表面粗糙度拉 < 双面0.6μm

公司优势:

华清成立于2004年,投资总额8000万元人民币,注册资本4000万元人民币。华庆的AlN&Al2O3陶瓷产品与业内其他厂家相比,具有高导热率、低介电常数、良好的损耗因数和优异的机械性能。 AlN&Al2O3陶瓷广泛应用于HBLED、光通信、IGBT、功率器件、TEC等高端应用。

厂房及设备:

包装及交付:
通过 UPS、DHL、Fedex 等运送。

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