氮化铝 (AlN) 陶瓷具有电绝缘性和优异的导热性，非常适合需要散热的应用。
产品详情：
半导体氮化铝(AlN)陶瓷设备开槽盘
产品描述：
制造半导体的过程包括产生等离子体的恶劣环境。因此，具有优异抗等离子体性能的氮化铝陶瓷更适合用于半导体制造。此外，在半导体制造中，挥发性前体气体、等离子体和高温相结合，用于在晶圆上沉积高质量的薄膜。沉积室和晶圆处理工具需要耐用的陶瓷部件来承受这些具有挑战性的环境，因此氮化铝陶瓷槽盘适合半导体行业。
我们的氮化铝 (AlN) 基板有各种尺寸和厚度可供选择。凭借大量的实时库存，我们可以快速运送您的零件，以便您开始您的项目。
我们的服务：
请联系我们进行定制。
规格：
| 尺寸（长x宽） | φ170mm等 |
| 厚度 | 7毫米等 |
| 导热系数 | 170W/米·K |
| 介电常数 | 8-9（兆赫） |
| 堆积密度 | 3.3克/立方厘米 |
| 表面粗糙度 | 两侧Ra≤6μm |
公司优势：
华清成立于2004年，投资总额8000万元人民币，注册资本4000万元人民币。华清的AlN & Al2O3陶瓷产品与业内其他工厂相比，具有高导热率、低介电常数、良好的损耗因数和优异的机械性能。 AlN & Al2O3陶瓷广泛应用于HBLED、光通信、IGBT、功率器件、TEC等高端应用。
厂房及设备：
包装及交付：
通过 UPS、DHL、Fedex 等运送。
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